ここに記載されている項目は、それぞれの条件下で絶対に越えてはいけません。
特に、設計計算の段階でオーバーしている場合は、仮にそれで壊れなくても、それは"たまたま"壊れないだけなので、絶対にやめましょう。

ドレイン-ソース間にかけることのできる最大電圧(耐圧)です。
負荷や駆動方法によって、電源電圧に適当な安全率を乗じたものよりも素子の耐圧が大きくなるようにします。 (参照)
負荷が誘導性の場合、スイッチング時に高電圧を発生する場合があるので注意しましょう。
また、モータをドライブする場合、逆起電圧を考慮する必要もあります。

ゲートに印可できる最大電圧です。
一般的に低め (Vdss<100V の場合、+-20V程度が多い)ので、正伝は買いに注意する必要があります。

特に注意書きがない場合、完全放熱時に許容される連続最大電流です。
実用上は、ヒートシンクを使わず、素子のみで使う場合はこの定格の 1/5、小さめのヒートシンク(TO-3PにTO-220用を使う場合など)で定格の1/3程度 が目安です。

ごく短い時間で許される最大電流です。
この値は、素子内部の熱容量で吸収できる電流量の限界値です。 
回路は、いかなる時でもこの定格を越えてはなりません。この限界値を超えた場合、素子が激しい破壊を起こすことがあります。

内蔵された逆並列ダイオードに流すことのできる最大電流です。
一般的に、この項目の数値、条件は、スイッチング時の特性と同等の値を示します。

素子の耐熱性を表します。
計算上/使用中にこの温度を気に留めなくてはいけないほど温度が上昇する場合は、根本的に設計がまずいはずです。

その素子の特性が記述されています。
大抵の計算はここの値を元に計算します。

ドレイン電流に対する ON 時の抵抗です。
素子によっては、ゲート電圧別(大抵 4Vと10V)になっています。

ゲートの寄生容量です。
ゲートドライバはこの容量を駆動しなければいけません。

ゲートの入力電荷量です。
10V 駆動時の電荷量を表示してあるものが多いようです。
FET の場合、単純な容量 + ミラー領域の容量を入力しなければいけません。

ゲートを ON 電圧まで立ち上げてから、ドレインが実際に ON するまでの遅れ時間です。

ゲートを OFF 電圧まで立ち下げてから、ドレインが実際に OFF するまでの遅れ時間です。
一般的に、ターンオフ時間はターンオン時間よりも長くなります。

ゲートに電圧を加えたとき、ドレイン-ソース間が通電しはじめるしきい値です。
一般的にこの電圧が低い素子は低電圧で駆動できますが、ノイズに弱くなります。

多くのパワーFET はドレイン-ソース間に逆並列ダイオードを内蔵してあります。
この項目は、そのダイオードの順方向に電流を流したとき、どの程度電圧降下するかを示します。

内蔵逆並列ダイオードの逆回復時間です。

素子を封入するパッケージの種類。
基本的には大きいパッケージの方が熱的な定格が大きくなります。
また、実装のしやすさもパッケージによってまちまちなので、注意しましょう。

放熱特性に関わります。
この値が小さいほど、多量の発熱に耐えられることになります。
FET のデータシートにこの項目が記載されていない場合、パッケージのデータシートに記載がある場合があります。